場效應(yīng)晶體管增強型檢測

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GB/T 2900.66-2004電工術(shù)語 半導(dǎo)體器件和集成電路

GB／T 2900的本部分界定了半導(dǎo)體技術(shù)、半導(dǎo)體設(shè)計和半導(dǎo)體類型的通用術(shù)語。

GB/T 4586-1994半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分:場效應(yīng)晶體管

通常，本標(biāo)準(zhǔn)需要與IEC 747-1-1983《半導(dǎo)體器件 分立器件和集成電路 第1部分：總則》一起使用。在IEC 747-1中，可找到下列的全部基礎(chǔ)資料： --術(shù)語； --文字符號； --基本額定值和特性； --測試方法；

GB/T 6219-1998半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分;場效應(yīng)晶體管 第一篇 1GHz、5W以下的單柵場效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

本空白詳細(xì)規(guī)范規(guī)定了制定1GHz、5W以下的單柵楊效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范的基本原則，制定該范圍內(nèi)的所有詳細(xì)規(guī)范與本空白詳細(xì)規(guī)范一致。 本空白規(guī)范是與GB/T 4589.1-1989《半導(dǎo)體器件 分立器件和集成電路總規(guī)范》DEC 747-10：1984）和GB/T 1260-900《半導(dǎo)體器件 分立器件規(guī)范》（IEC 747.11：1985）有關(guān)的一系列空白詳細(xì)規(guī)范中的一個。

GB/T 11499-2001半導(dǎo)體分立器件文字符號

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體分立器件主要的文字符號。本標(biāo)準(zhǔn)適用于編寫半導(dǎo)體分立器件有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和有關(guān)技術(shù)資料。

GB/T 15449-1995管殼額定開關(guān)用場效應(yīng)晶體管 空白詳細(xì)規(guī)范

本空白詳細(xì)規(guī)范規(guī)定了制訂管殼額定開頭用場效應(yīng)晶體詳細(xì)規(guī)范的基本原則，制訂該范圍內(nèi)的所有詳細(xì)規(guī)范應(yīng)與本空白詳細(xì)規(guī)范一致。

GB/T 21039.1-2007半導(dǎo)體器件 分立器件 第4-1部分:微波二極管和晶體管 微波場效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

本空白詳細(xì)規(guī)范是半導(dǎo)體器件的一系列空白詳細(xì)規(guī)范之一，并應(yīng)與下列標(biāo)準(zhǔn)一起使用。