集成電路-MCU 芯片檢測(cè)

集成電路-MCU 芯片檢測(cè)項(xiàng)目報(bào)價(jià)？??解決方案？??檢測(cè)周期？??樣品要求？

點(diǎn) 擊 解 答??

GB/T 2036-1994印制電路術(shù)語(yǔ)

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了印制電路技術(shù)的常用術(shù)語(yǔ)及其定義。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于印制電路用基材、印制電路設(shè)計(jì)與制造、檢測(cè)與印制板裝聯(lián)及有關(guān)領(lǐng)域。

GB/T 2900.32-1994電工術(shù)語(yǔ) 電力半導(dǎo)體器件

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電力半導(dǎo)體器件的專用術(shù)語(yǔ)。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于制訂標(biāo)準(zhǔn)、編訂技術(shù)文件、編寫和翻譯手冊(cè)、教材及書刊。

GB/T 2900.66-2004電工術(shù)語(yǔ) 半導(dǎo)體器件和集成電路

GB／T 2900的本部分界定了半導(dǎo)體技術(shù)、半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和半導(dǎo)體類型的通用術(shù)語(yǔ)。

GB/T 3859.4-2004半導(dǎo)體變流器 包括直接直流變流器的半導(dǎo)體自換相變流器

本部分適用于電力變流器中至少有一部分是自換相型的所有類型半導(dǎo)體自換相變流器。例如：交流變流器，間接直流變流器，直接直流變流器。 GB／T 3859．1中的要求，只要不與本部分相矛盾，也同樣適用于自換相變流器。對(duì)于某些特殊應(yīng)用，如不間斷電源設(shè)備(UPS)，交、直流調(diào)速傳動(dòng)和電氣牽引設(shè)備，可使用另外的標(biāo)準(zhǔn)。 注：試驗(yàn)限制可適用于特殊應(yīng)用，如大功率無(wú)功變流器。

GB/T 4023-2015半導(dǎo)體器件 分立器件和集成電路 第2部分:整流二極管

本部分給出下列各類或各分類器件的標(biāo)準(zhǔn)：整流二極管包括：——雪崩整流二極管；——可控雪崩整流二極管；——快開關(guān)整流二極管。

GB/T 4475-1995敏感元器件術(shù)語(yǔ)

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了敏感元器件的術(shù)語(yǔ)及定義，包括熱（溫）敏、光敏、壓敏、濕敏、氣敏、磁敏、力敏、離子敏、生物敏、放射線敏和纖維光學(xué)敏感元器件11個(gè)部分。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于敏感元器件的生產(chǎn)、使用、科研和教學(xué)等方面，作為統(tǒng)一技術(shù)用語(yǔ)的依據(jù)。

GB/T 4589.1-2006半導(dǎo)體器件 第10部分:分立器件和集成電路總規(guī)范

本規(guī)范構(gòu)成電工委員會(huì)電子元器件質(zhì)量評(píng)定體系（IECQ）的一部分。 本規(guī)范是半導(dǎo)體器件（分立器件和集成電路，包括多片集成電路，但不包括混合電路）的總規(guī)范。 本規(guī)范規(guī)定了在IECQ體系內(nèi)采用的質(zhì)量評(píng)定的總程序，并給出了下述方面的總原則： ——電特性測(cè)試方法； ——?dú)夂蚝蜋C(jī)械試驗(yàn)； ——耐久性試驗(yàn)。

GB/T 4937.1-2006半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第1部分:總則

本部分適用于半導(dǎo)體器件（分立器件和集成電路）并為GB/T 4937系列的其他部分建立通用準(zhǔn)則。 當(dāng)本部分與相應(yīng)的詳細(xì)規(guī)范有矛盾時(shí)，以詳細(xì)規(guī)范為準(zhǔn)。

GB/T 4937.11-2018半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第11部分:快速溫度變化 雙液槽法

GB/T 4937的本部分規(guī)定了快速溫度變化——雙液槽法的試驗(yàn)方法。當(dāng)器件鑒定既可以采用空氣-空氣溫度循環(huán)又可以采用快速溫度變化——雙液槽法試驗(yàn)時(shí)，優(yōu)先采用空氣-空氣溫度循環(huán)試驗(yàn)。本試驗(yàn)也可采用少量循環(huán)(5次~10次)的方式來(lái)模擬清洗器件的加熱液體對(duì)器件的影響。本試驗(yàn)適用于所有的半導(dǎo)體器件。除非在有關(guān)規(guī)范中另有說(shuō)明，本試驗(yàn)被認(rèn)為是破壞性的。本試驗(yàn)與GB/T 2423.22-2002基本一致，但鑒于半導(dǎo)體器件的特殊要求，采用本部分的條款。

GB/T 4937.12-2018半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第12部分:掃頻振動(dòng)

GB/T 4937的本部分的目的是測(cè)定在規(guī)定頻率范圍內(nèi)，振動(dòng)對(duì)器件的影響。本試驗(yàn)是破壞性試驗(yàn)，通常用于有空腔的器件。本試驗(yàn)與GB/T 2423.10-2008基本一致，但鑒于半導(dǎo)體器件的特殊要求，采用本部分的條款。

GB/T 4937.13-2018半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第13部分:鹽霧

GB/T 4937的本部分規(guī)定了半導(dǎo)體器件的鹽霧試驗(yàn)方法，以確定半導(dǎo)體器件耐腐蝕的能力。本試驗(yàn)是模擬嚴(yán)酷的海邊大氣對(duì)器件暴露表面影響的加速試驗(yàn)。適用于工作在海上和沿海地區(qū)的器件。本試驗(yàn)是破壞性試驗(yàn)。本試驗(yàn)總體上符合IEC 60068-2-11，但鑒于半導(dǎo)體器件的特殊要求，采用本部分的條款。

GB/T 4937.14-2018半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第14部分:引出端強(qiáng)度(引線牢固性)

GB/T 4937的本部分規(guī)定了幾種不同的試驗(yàn)方法，用來(lái)測(cè)定引線/封裝界面和引線的牢固性。當(dāng)電路板裝配錯(cuò)誤造成引線彎曲，為了重新裝配對(duì)引線再成型加工時(shí)，進(jìn)行此項(xiàng)試驗(yàn)。對(duì)于氣密封裝器件，建議在本試驗(yàn)之后按IEC 60749-8進(jìn)行密封試驗(yàn)，以確定對(duì)引出端施加的應(yīng)力是否對(duì)密封也造成了不良影響。本部分的每一個(gè)試驗(yàn)條件，都是破壞性的，僅適用于鑒定試驗(yàn)。本部分適用于所有需要用戶進(jìn)行引線成型處理的通孔式安裝器件和表面安裝器件。

GB/T 4937.15-2018半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第15部分:通孔安裝器件的耐焊接熱

GB/T 4937的本部分規(guī)定了耐焊接熱的試驗(yàn)方法，以確定通孔安裝的固態(tài)封裝器件承受波峰焊或烙鐵焊接引線時(shí)產(chǎn)生的熱應(yīng)力的能力。為制定具有可重復(fù)性的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)程序，選用試驗(yàn)條件較易控制的浸焊試驗(yàn)方法。本程序?yàn)榇_定器件組裝到電路板時(shí)對(duì)所需焊接溫度的耐受能力，要求器件的電性能不產(chǎn)生退化且內(nèi)部連接無(wú)損傷。本試驗(yàn)為破壞性試驗(yàn)，可以用于鑒定、批接收及產(chǎn)品檢驗(yàn)。本試驗(yàn)與IEC 60068-2-20基本一致，但鑒于半導(dǎo)體器件的特殊要求，采用本部分的條款。

GB/T 4937.17-2018半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第17部分:中子輻照

GB/T 4937的本部分是為了測(cè)定半導(dǎo)體器件在中子環(huán)境中性能退化的敏感性。本部分適用于集成電路和半導(dǎo)體分立器件。中子輻照主要針對(duì)軍事或空間相關(guān)的應(yīng)用，是一種破壞性試驗(yàn)。試驗(yàn)?zāi)康娜缦拢篴)　檢測(cè)和測(cè)量半導(dǎo)體器件關(guān)鍵參數(shù)的退化與中子注量的關(guān)系；b)　確定規(guī)定的半導(dǎo)體器件參數(shù)在接受規(guī)定水平的中子注量輻射之后是否在規(guī)定的極限值之內(nèi)(見第4章)。

GB/T 4937.18-2018半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第18部分:電離輻射(總劑量)

GB/T 4937的本部分對(duì)已封裝的半導(dǎo)體集成電路和半導(dǎo)體分立器件進(jìn)行<上標(biāo)60>Co γ射線源電離輻射總劑量試驗(yàn)提供了一種試驗(yàn)程序。本部分提供了評(píng)估低劑量率電離輻射對(duì)器件作用的加速退火試驗(yàn)方法。這種退火試驗(yàn)對(duì)低劑量率輻射或者器件在某些應(yīng)用情況下表現(xiàn)出時(shí)變效應(yīng)的應(yīng)用情形是比較重要的。本部分僅適用于穩(wěn)態(tài)輻照，并不適用于脈沖型輻照。本部分主要針對(duì)軍事或空間相關(guān)的應(yīng)用。本試驗(yàn)可能會(huì)導(dǎo)致輻照器件的電性能產(chǎn)生嚴(yán)重退化，因而被認(rèn)為是破壞性試驗(yàn)。

GB/T 4937.19-2018半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第19部分:芯片剪切強(qiáng)度

GB/T 4937的本部分用來(lái)確定將半導(dǎo)體芯片安裝在管座或其他基板上所使用的材料和工藝步驟的完整性(基于本試驗(yàn)方法的目的，本部分中半導(dǎo)體芯片包括無(wú)源元件)。本部分適用于空腔封裝，也可作為過(guò)程監(jiān)測(cè)。不適用于面積大于10 mm<上標(biāo)2>的芯片，以及倒裝芯片和易彎曲基板。

GB/T 4937.20-2018半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第20部分:塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影響

GB/T 4937的本部分規(guī)定了塑封表面安裝半導(dǎo)體器件(SMD)的耐焊接熱評(píng)價(jià)方法。該試驗(yàn)為破壞性試驗(yàn)。

GB/T 4937.21-2018半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第21部分:可焊性

GB/T 4937的本部分規(guī)定了采用鉛錫焊料或無(wú)鉛焊料進(jìn)行焊接的元器件封裝引出端的可焊性試驗(yàn)程序。本試驗(yàn)方法規(guī)定了通孔、軸向和表面安裝器件(SMDs)的“浸入和觀察”可焊性試驗(yàn)程序，以及可選的SMDs板級(jí)安裝可焊性試驗(yàn)程序，用于模擬在元器件使用時(shí)采用的焊接過(guò)程。本試驗(yàn)方法也規(guī)定了老化條件，該條件為可選。除有關(guān)文件另有規(guī)定外，本試驗(yàn)屬于破壞性試驗(yàn)。

GB/T 4937.22-2018半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第22部分:鍵合強(qiáng)度

GB/T 4937的本部分適用于半導(dǎo)體器件(分立器件和集成電路)。本部分的目的是測(cè)量鍵合強(qiáng)度或確定鍵合強(qiáng)度是否滿足規(guī)定的要求。

GB/T 4937.30-2018半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第30部分:非密封表面安裝器件在可靠性試驗(yàn)前的預(yù)處理

GB/T 4937的本部分規(guī)定了非密封表面安裝器件(SMDs)在可靠性試驗(yàn)前預(yù)處理的標(biāo)準(zhǔn)程序。本部分規(guī)定了SMDs的預(yù)處理流程。SMDs在進(jìn)行規(guī)定的室內(nèi)可靠性試驗(yàn)(鑒定/可靠性監(jiān)測(cè))前，需按本部分所規(guī)定的流程進(jìn)行適當(dāng)?shù)念A(yù)處理，以評(píng)估器件的長(zhǎng)期可靠性(受焊接應(yīng)力的影響)。